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                  专利号

                  专利名称

                  授权公告日

                • 70

                  201610631795.5

                  在图←形化氮化镓单晶衬底上制备氮化镓发光二极管的方法

                  2019-04-24

                • 71

                  201610611552.5

                  一ζ种用于清洗Source的支架

                  2019-04-24

                • 72

                  201610598446.8

                  一种垂直式HVPE设备用温场改∞善装置

                  2019-04-24

                • 73

                  201610611553.X

                  一种HVPE设备用镓』舟反应器

                  2019-04-24

                • 74

                  201610373655.2

                  一种在HVPE中高速率稳定生长GaN晶体材︾料的方法

                  2019-04-24

                • 76

                  201610141887.5

                  一种无损伤的GaN衬∏底激光剥离方法

                  2019-04-24

                • 77

                  201610029138.3

                  一种在Si衬底上制备高迁移率AlGaNGaN电子功率器件的方法

                  2019-04-24

                • 78

                  201610017711.9

                  一种氮化物单晶生长装置和方法

                  2019-04-24

                • 79

                  201510656861.X

                  一种联动可〓调节的隔热保温装置及使用方法

                  2019-04-24

                • 81

                  201510519116

                  一种大型垂直式HVPE反应室的装配辅助装置

                  2019-04-24

                • 82

                  201510443168.4

                  一种清除HVPE设备管道尾气沉积物的装置及∴方法

                  2019-04-24

                • 86

                  201510060950.8

                  一种用于气相外延生长半导体单晶材料的反应器

                  2019-04-24

                • 87

                  201510054617.6

                  一种镓源自动补给及回收装置

                  2019-04-24

                • 88

                  201410686083.4

                  一种在Si衬底上采用碳纳米管作为周期性介质掩膜制备低位错密度GaN薄膜的方法

                  2019-04-24

                • 89

                  201410687721.4

                  一种在Si衬底上制备无裂纹GaN薄膜的方法

                  2019-04-24

                • 90

                  201410650342.8

                  一种异质衬底表面改性调控基片弯曲度的方法

                  2019-04-24

                • 91

                  201410520437.8

                  一种MOCVD中InN/LT-AlN复合应力释放缓冲层↓技术

                  2019-04-24

                • 94

                  201410421647.1

                  一种在大尺寸Si衬底上制备高电子迁移率场效应晶体管的方法

                  2019-04-24

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