内容标题9

  • <tr id='L0nQkL'><strong id='L0nQkL'></strong><small id='L0nQkL'></small><button id='L0nQkL'></button><li id='L0nQkL'><noscript id='L0nQkL'><big id='L0nQkL'></big><dt id='L0nQkL'></dt></noscript></li></tr><ol id='L0nQkL'><option id='L0nQkL'><table id='L0nQkL'><blockquote id='L0nQkL'><tbody id='L0nQkL'></tbody></blockquote></table></option></ol><u id='L0nQkL'></u><kbd id='L0nQkL'><kbd id='L0nQkL'></kbd></kbd>

    <code id='L0nQkL'><strong id='L0nQkL'></strong></code>

    <fieldset id='L0nQkL'></fieldset>
          <span id='L0nQkL'></span>

              <ins id='L0nQkL'></ins>
              <acronym id='L0nQkL'><em id='L0nQkL'></em><td id='L0nQkL'><div id='L0nQkL'></div></td></acronym><address id='L0nQkL'><big id='L0nQkL'><big id='L0nQkL'></big><legend id='L0nQkL'></legend></big></address>

              <i id='L0nQkL'><div id='L0nQkL'><ins id='L0nQkL'></ins></div></i>
              <i id='L0nQkL'></i>
            1. <dl id='L0nQkL'></dl>
              1. <blockquote id='L0nQkL'><q id='L0nQkL'><noscript id='L0nQkL'></noscript><dt id='L0nQkL'></dt></q></blockquote><noframes id='L0nQkL'><i id='L0nQkL'></i>
                X

                关注微信公※众号了解更多信息

                点击屏幕其他地方可关闭此¤窗口

                6英寸氮化镓Template

                产品概述

                6英寸氮化镓Template

                GaN/ Al2O3 Substrates (6")

                产品型号

                Item

                ST-ncY-Φ150

                ST-ncZ-Φ150

                ST-ncH-Φ150

                尺寸

                Size (mm)

                Φ150.0±1.0 (6")

                衬底结构

                Substrate Structure

                GaN on Sapphire(0001)

                (Standard: SSP Option: DSP)

                厚度

                Thickness (μm)

                4.5±0.5; 20±2;

                Customized

                导电类型

                Conduction Type

                Un-doped N-type

                N-type

                High-doped N-type

                电阻率 (300K)

                Resistivity (Ω·cm

                ≤0.5

                ≤0.05

                ≤0.01

                GaN厚度不均匀性

                GaN Thickness Uniformity

                ≤±15% (6")

                错位密度

                Dislocation Density(cm-2)

                ≤5×108

                有效面积  

                Useable Surface Area

                90%

                包装

                Package

                Packaged in a class 100 clean room environment.

                6英寸氮化镓Template(图1)

                Copyright ? 2018 东莞市中镓半导体科技有限公司 All Rights Reserved. ICP备案号:粤ICP备12004059号