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                4英寸氮化镓Template

                产品概述

                4英寸氮化镓Template

                GaN/ Al2O3 Substrates (4")

                产品型号

                Item

                ST-ncY-Φ100

                ST-ncZ-Φ100

                ST-ncH-Φ100

                尺寸

                Size (mm)

                Φ100.0±0.5 (4")

                衬底结构

                Substrate Structure

                GaN on Sapphire(0001)

                (Standard: SSP Option: DSP)

                厚度

                Thickness (μm)

                4.5±0.5; 20±2;

                Customized

                导电类型

                Conduction Type

                Un-doped N-type

                N-type

                High-doped N-type

                电阻率 (300K)

                Resistivity (Ω·cm

                ≤0.5

                ≤0.05

                ≤0.01

                GaN厚度□不均匀性

                GaN Thickness Uniformity

                ≤±10% (4")

                错位密度

                Dislocation Density (cm-2)

                ≤5×108

                有效面积 Useable Surface Area

                90%

                包装

                Package


                4英寸氮化镓Template(图1)

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