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                方形氮化镓自支撑衬底

                产品概述

                方形氮化镓自支撑衬底

                Free-standing GaN SubstratesSquare


                产品型号

                Item

                JF-061UA-M6

                JF-061NA-M6

                尺寸

                Size (mm)

                (10.0±0.5)×(15.0±0.5);

                Customized

                厚度

                Thickness (μm)

                400±25

                400±25

                总厚度变化

                TTV (μm)

                ≤10

                弯曲度

                BOW (μm)

                ≤10

                表面粗糙度

                RMS (nm)

                ≤0.2 (10μm×10μm)

                晶向

                Orientation

                C-plane(0001) off angle toward M-axis 0.6±0.2°

                C-plane(0001) off angle toward A-axis 0.3±0.25°

                导电类型

                Conduction Type

                Un-doped

                N-type

                电阻率 (300K)

                Resistivity (Ω·cm

                ≤0.5

                ≤0.05

                位错密度

                Dislocation Density (cm-2)

                9×106

                有效面积 Useable Surface Area

                90%

                包装

                Package

                Packaged in individual containers in a class 100 clean room environment.

                方形氮化镓自支撑衬底(图1)

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