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                公司简介(图1)

                  - 公司成立
                  东莞市中镓半导体科技有限公司成立于2009年1月,总部设于广东东莞,总注册资本为1.3亿元人民币,总部设立厂房办公区等共17000多平方米,并在北京设 立面积达1000平方米的大型研发中心,为中国国内首家专业生产氮化镓(GaN)衬底材料√的企业。


                  - 人才队伍
                  企业以北京大学宽禁带半导体研究中心为技◆术依托,引进国内外优秀的技术及管理团队, 2010年获∴建博士后工作站,截至2019年有院士1人,教授级别人员共 1人,博士9人,硕士27人,拥有先进的技术及管理优势。


                  - 公司卐资质和荣誉
                  2009年成立北大中镓半导体研∑ 究中心;同年被广东省人民政府批准的首批创新科研团队;成为广东省▼现代产业500强项目;被广东省科学技术厅评为“国际科技合作基地”。
                  2011年被全国高科技质量监督广东委员会评为“广ω 东省科技创新质量管理先进单位”;同年@ 被广东省科学技术厅评为“广东省民营科技企业ぷ”、被广东省经济和信息化委员会评为“广东省战略性新兴产【业骨干企业”。
                  2015年10月,公司被科学技术部认定为“国家国际科技合作基地”。入选《广东经济》理事学◤会理事单位、东莞市电子元件协会常务副会■长单位、东莞电子信▆息产业数码产业协会常务▃副会长单位、东莞市半导体行业副会长单位ㄨ、CSA国家半导体照明工程研发及产业联盟成员单位等。
                  2017年11月,公司荣获全国半导体设备和材料标准化技术委员会2017年度“突出贡『献奖”。
                  2018年11月,中镓半导体科技有限公司的6英寸硅基¤氮化镓功率器件外延片被认定为“广东省高新技术产品”。


                  - 主营业务与专利技术
                  公司创造性采用MOCVD技术、HVPE技术相结合的方█法,研发、生产产品包括:氮化镓(GaN)半导体衬底材料,GaN单晶衬底及氢化物气相外延设备(HVPE)等,激光器、功率器件、射频器件。


                  - 公司发展与规划
                  公司已建成国内首家专业的氮化镓(GaN)衬底材料生产线,制备卐出厚度达1100微米的自支撑GaN衬底,并能够稳定生产。
                  相关产品技术达到国际先进乃至国际领先水平,形成世界一流的国内最大型的衬底材料及半导体设备的生产基地。公司拟以衬底核心技术『为基础,全面进入氮化物半导体技术的研发和生产,实现完整的产业链的垂直整合结构发展,打造国际一流的大型半导体材料科研生产基地,逐步推进形成达百亿产值的半导体产业集群。


                  - 企业文化
                  公司使命:润泽社会、兴邦惠民
                  公司愿景:值得市场尊重的永续企业
                  核心价值观:正心诚意、激情担当、开放创新、协同高效、追求卓越、知行合一

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